fix(vpto): attach vscatter memory effects during lowering

[mouliangyu]

背景

旧版 Bisheng 没有正确把 vscatter 建模为通过 destination pointer 写内存，可能导致 EarlyCSE 将 scatter 之后的同址 load 错误消除。PTOAS 已为最终 LLVM intrinsic 补充 memory attributes，但原实现是在 LLVM IR 导出后遍历函数名追加属性，且没有覆盖实际 CSE 序列的回归测试。

修改

• 在 CANN 9.0.0 与 9.0.0-beta.1 两条 VPTO LLVM lowering 路径中，由 PlannedDecl 在 intrinsic 声明物化时直接附加 memory_effects(argMem = write) 和 no_unwind。
• 删除 LLVM module 生成后按 llvm.hivm.vscatter.* 名字遍历并补属性的逻辑。
• 将 LLVM 21 的 memory(argmem: write) 转换为 Bisheng LLVM 15 可解析的 writeonly argmemonly。
• 新增最小 lit 回归，覆盖同址 vlds -> vscatter -> mem_bar(VST_VLD) -> vlds，并检查最终 declaration 的 nounwind writeonly argmemonly。

验证

• cmake --build .work/build --target PTOASPythonCore -j4：PASS。
• 新增回归的 CANN 9.0.0 与 9.0.0-beta.1 两条 RUN: 命令：PASS。
• vscatter_low_width_vpto_llvm.pto 的 CANN 9.0.0 与 9.0.0-beta.1 两条 RUN: 命令：PASS。
• Bisheng 15.0.5：bisheng -target hiipu64-hisilicon-cce -O2 -S -emit-llvm ...，优化后仍保留 2 次同址 vldsx1，vscatter 为 argmemonly nounwind writeonly。